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SK 海力士实现量产 HBM2E 显存:单颗 16GB、带宽超 460GB/s
浏览:85 发布日期:2020-07-05

7月2日新闻  据外媒 prnewswire 今日报道,SK 海力士宣布,其已能够大周围批量生产新一代高速 “HBM2E” DRAM 芯片。

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IT之家晓畅到,往年 8 月 SK 海力士宣布成功研发出新一代 DRAM 内存 / 显存芯片 “HBM2E”。今日,海力士正式已成功量产这一代 HBM2E 存储。

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图源 SK 海力士官网

官方称其 HBM2E 拥有每 pin 3.6Gbps 的性能、每秒 460GB 以上的带宽、 共 1024 个 I / O(输入 / 输出)。HBM2E 经过 TSV(Through Silicon Via)硅穿孔技术垂直堆叠八颗 16Gb DRAM 芯片,容量达16GB,是上一代产品(HBM2)两倍以上的容量。

值得一挑的是,SK 海力士也是第一个研发出 HBM 存储的厂商。始发于 2015 年的 AMD Radeon Fury 显卡中。

海力士还外示,常见问题HBM2E 是正当深度学习添速器(deep learning accelerator)、高性能计算机等新一代人造智能(AI)编制的存储器解决方案,将用于更众配相符友人的产品。

注:

HBM:High Bandwidth Memory,高带宽内存,相较传统 DRAM,借助 TSV 技术升迁数据处理速度的高性能、高带宽存储器产品

TSV(Through Silicon Via):硅打孔技术,经过在 DRAM 芯片打上数千个微弱孔并经过垂直贯通的电极连接上下芯片的技术,可降矮芯片功耗以及削减芯片体积。

460GB/s 计算:以每 pin 3.6Gbps 的速度经过 1024 个数据 I/O = 3686.4Gbps=460.8GB/s。